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CMOS圖像傳感器的過去,現(xiàn)在和未來

來源: 發(fā)布時間:2019-08-23 點擊量:4565

在歷史上,CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器幾乎是同時在20世紀60年代出現(xiàn)的。1965年-1970年(20世紀70年代),IBM、Fairchild等企業(yè)開發(fā)光電以及雙極二極管陣列。1970年,CCD圖像傳感器在Bell實驗室發(fā)明,并依靠CCD圖像傳感器的高量子效率、高靈敏度、低暗電流、高一致性、低噪音,一直成為圖像傳感器市場的主導。

和CCD圖像傳感器相對比,CMOS圖像傳感器具有低功耗、低操作電壓、片上集成功能、低價格等優(yōu)勢,但是在CMOS圖像傳感器出現(xiàn)初期由于相對較差的性能和較大的像元尺寸,并沒有得到很好的市場,后來隨著超大規(guī)模集成電路技術(VLSI)和CMOS工藝水平的不斷提高,CMOS圖像傳感器逐漸開始展現(xiàn)出CCD圖像傳感器不具有的優(yōu)勢,在圖像傳感器領域的市場份額逐漸擴大。CMOS圖像傳感器的發(fā)展主要有三個階段,分別是無源像素CMOS圖像傳感器(PPS,Passive Pixel Sensor)、有源像素CMOS圖像傳感器(Active Pixel Sensor)和數字像素CMOS圖像傳感器(DPS,Digital Pixel Sensor)。


在20世紀90年代初,無源像素CMOS圖像傳感器作為第一代CMOS圖像傳感器進入市場,相對初期CMOS圖像傳感器,PPS CMOS圖像傳感器主要改善了信噪比。之后,APS CMOS圖像傳感器作為第二代CMOS圖像傳感器相繼出現(xiàn),和PPS CMOS圖像傳感器相對比,主要改善了讀出噪聲、數據讀出速度,并在之后很長的一段時間內,APS CMOS圖像傳感器一度CMOS圖像傳感器的研究焦點。在20世紀末,美國斯坦福大學提出了DPS CMOS圖像傳感器,使用像素級模數轉換器和存儲單元,將捕捉到的光信號直接轉換為數字信號輸出,旨在解決CCD圖像傳感器在處理動態(tài)范圍和色彩真實性上的不足,最大程度地降低信號在排列中的衰減和干擾,提升成像質量。目前,應用在相機的CMOS圖像傳感器主要是APS CMOS圖像傳感器和DPS CMOS圖像傳感器,相對來說,APS CMOS圖像傳感器技術相對成熟,而DPS CMOS圖像傳感器技術越來越成為研究的焦點。得益于超大規(guī)模集成電路技術(VLSI)和CMOS工藝水平的不斷發(fā)展,在成像應用中,CMOS圖像傳感器的量子效率、填充因子等成像性能逐漸可以和CCD圖像傳感器相媲美,占據的市場份額逐漸擴大,猶如如今智能手機攝像頭大多采用CMOS圖像傳感器,在水下探測、空間對地遙感等成像領域,CMOS圖像傳感器也有可能取代CCD圖像傳感器,進而逐漸成為多數成像領域圖像傳感器的主要選擇。


在過去的十年里,CMOS圖像傳感器(CIS)技術取得了令人矚目的進展,圖像傳感器的性能也得到了極大的改善。自從在手機中引入相機以來,CIS技術取得了巨大的商業(yè)成功。


包括科學家和市場營銷專家在內的許多人,早在15年前就預言,CMOS圖像傳感器將完全取代CCD成像設備,就像20世紀80年代中期CCD設備取代了視頻采集管一樣。盡管CMOS在成像領域占有牢固的地位,但它并沒有完全取代CCD設備。


另一方面,對CMOS技術的驅動極大地提升了整個成像市場。CMOS圖像傳感器不僅創(chuàng)建了新的產品應用程序,而且還提高了CCD成像設備的性能。本文介紹了CMOS圖像傳感器技術中最先進的技術,并對未來的發(fā)展前景進行了展望。


圖像傳感器的定義和用途


圖像傳感器是一種將光學圖像轉換成電子信號的電子設備。轉換的方法因圖像傳感器的類型而異


? “模擬”CCD執(zhí)行光子到電子的轉換。


? “數字”CMOS圖像傳感器(CIS)執(zhí)行光子到電壓的轉換


圖像傳感器用于數碼相機和成像設備,將相機或成像設備接收到的光線轉換為數字圖像。


CIS &VS CCD


今天,有兩種不同的技術用于數字圖像采集:


? 電荷耦合器件(CCD)是線性傳感器,其輸出與接收到的光子數量直接相關。


? 互補金屬氧化物半導體(CMOS,或CMOS圖像傳感器CIS)是一種較新的并行讀出技術。


這兩種類型的成像設備都將光轉化為電子(或電荷),隨后即可處理成電子信號。CCD的設計目的是將電荷逐個像素地移動,直到它們到達專用讀出區(qū)域放大器。CMOS圖像傳感器直接在像素上進行放大。更高級的CIS技術提供了一個并行讀出架構,其中每個像素都可以單獨尋址,或者作為一個組并行地讀出


CMOS傳感器的制造成本遠低于CCD傳感器。由于新型圖像傳感器的價格下降,數碼相機已經變得非常便宜和普及。


CCD和CMOS架構的存在主要區(qū)別。 每個都有獨特的優(yōu)點和缺點,在不同的應用中各顯其能。


現(xiàn)在和未來的CIS技術


未來CIS技術采用的路線圖受到三個限制或驅動因素的推動:


1.尺寸(3維,相機模組的X,Y和Z)


2.圖像質量(分辨率,低光性能,對焦(AF)和穩(wěn)定性(OIS))


3.功能(慢動作影像,圖像分析,運動控制)


BSI,3D堆疊BSI,3D混合以及3D順序集成都是影響未來CIS技術應用的關鍵技術。


多年來,CIS市場的競爭格局已經發(fā)生了很大的變化。索尼是市場、生產、技術的領導者。Omnivision和三星一直保持強勁,Galaxycore和Pixelplus這樣的新玩家也在崛起。同時,集成器件制造(IDM)模型一直是佳能和尼康的強大動力來源,它們都經受住了數碼相機的緩慢發(fā)展。至于松下,它已經與Tower Jazz成立了一家合資公司,以協(xié)助其在高端成像應用領域的探索。


智能手機的應用正處于CIS市場份額的領先地位,但許多其他應用將成為CIS未來增長的一部分。許多IDM和無晶圓廠公司正在為新興的更高利潤率的成像應用開發(fā)芯片,如汽車、安全、醫(yī)療和其他領域。這些應用中出現(xiàn)了巨大的機會,推動了新興供應商和現(xiàn)有供應商的市場和技術工作。這些新興的機遇正在將移動成像技術推向其他增長領域,我們可能會看到從視覺成像到視覺感知以及其他交互式應用的轉變。


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