CIS(Contact Image Sensor)：接觸式圖像傳感器于八十年代末應(yīng)運(yùn)而生，它是由CMOS工藝制作的傳感器IC組成陣列，陣列的長(zhǎng)度與原稿相同，光路由CIS本體決定，具有體積小、光路短等特點(diǎn)，組成的系統(tǒng)體積也小，而且安裝簡(jiǎn)單，不需要調(diào)整光路，解決了圖像光學(xué)信號(hào)均勻性和部件體積問(wèn)題，便于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化。圖像傳感器根據(jù)元件不同分為CCD、CMOS、CIS。

CCD、CMOS兩種圖像傳感器比較

CCD圖像傳感器的特色在于充分保持信號(hào)在傳輸時(shí)不失真(專屬通道設(shè)計(jì))，透過(guò)每一個(gè)像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理，可以保持資料的完整性;CMOS沒(méi)有專屬通道的設(shè)計(jì)，因此必須先行放大再整合各個(gè)像素的資料。 整體來(lái)說(shuō)，CCD 與 CMOS 兩種設(shè)計(jì)的應(yīng)用，反應(yīng)在成像效果上，形成包括 感光度、制造成本、解析度、噪點(diǎn)與耗電量等方面的差異，具體表現(xiàn)在：

1.感光度差異：由于 CMOS 每個(gè)像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路，過(guò)多的額外設(shè)備壓縮單一像素的感光區(qū)域的表面積，因此 相同像素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會(huì)低于CCD。

2.噪點(diǎn)差異：由于CMOS每個(gè)感光二極體搭配一個(gè) ADC 放大器，如果以百萬(wàn)像素計(jì)，那么就需要百萬(wàn)個(gè)以上的 ADC 放大器，雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品，但是每個(gè)放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達(dá)到放大同步的效果，對(duì)比單一個(gè)放大器的CCD，CMOS最終計(jì)算出的噪點(diǎn)就比較多。

3.解析度差異： CMOS 每個(gè)像素的結(jié)構(gòu)比 CCD 復(fù)雜，其感光開(kāi)口不及CCD大， 相對(duì)比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時(shí)，CCD感光器的解析度通常會(huì)優(yōu)于CMOS。但是目前業(yè)界的CMOS 感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬(wàn)像素 / 全片幅的設(shè)計(jì)，CMOS 技術(shù)在量率上的優(yōu)勢(shì)可以克服大尺寸感光原件制造上的困難。

4.成本差異：CMOS 應(yīng)用可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中，節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本 和良率的損失;相對(duì)于 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出信號(hào)，必須另辟傳輸通道，如果通道中有一個(gè)像素故障，就會(huì)導(dǎo)致信號(hào)無(wú)法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，再加上專屬傳輸通道設(shè)計(jì)，CCD的制造成本相對(duì)高于CMOS。

5.耗電量差異：CMOS的影像電荷驅(qū)動(dòng)方式為主動(dòng)式，感光二極體所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動(dòng)式， 必須外加電壓讓每個(gè)像素中的電荷移動(dòng)至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平，因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度，高驅(qū)動(dòng)電壓使 CCD 的電量遠(yuǎn)高于CMOS。